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  • 型号: IPB60R125C6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IPB60R125C6产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 30A TO263MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc2012400cb0d9d5d2d

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R125C6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc2012400cb0d9d5d2d

产品型号

IPB60R125C6

Pd-PowerDissipation

219 W

Pd-功率耗散

219 W

Qg-GateCharge

96 nC

Qg-栅极电荷

96 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 nS

下降时间

7 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 960µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2127pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

96nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 14.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-2

其它名称

IPB60R125C6DKR

典型关闭延迟时间

83 nS

功率-最大值

219W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

IPB60R125

配置

Single

零件号别名

IPB60R125C6ATMA1 SP000687456

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