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Datasheet下载- 型号： IPB60R099C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB60R099C6产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 37.9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R099C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e |
| 产品型号 | IPB60R099C6 |
| Pd-PowerDissipation | 278 W |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Qg-GateCharge | 119 nC |
| Qg-栅极电荷 | 119 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.21mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 119nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 18.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB60R099C6CT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37.9A （Tc） |
| 系列 | IPB60R099 |
| 零件号别名 | IPB60R099C6ATMA1 SP000687468 |
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