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Datasheet下载- 型号： IPB50N10S3L-16
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPB50N10S3L-16产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB50N10S3L-16由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB50N10S3L-16价格参考以及InfineonIPB50N10S3L-16封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB50N10S3L-16参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB50N10S3L-16详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I50N10S3L-16_DS_1_1_neu.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB50N10S3L-16OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t |
| 产品型号 | IPB50N10S3L-16 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 64 nC |
| Qg-栅极电荷 | 64 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 60µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB50N10S3L-16INCT |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | IPB50N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB50N10S3L16ATMA1 SP000386183 |
