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  • 型号: IPB117N20NFDATMA1
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB117N20NFDATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB117N20NFDATMA1价格参考¥11.67-¥11.67。InfineonIPB117N20NFDATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3。您可以下载IPB117N20NFDATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB117N20NFDATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB117N20NFDATMA1 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。这款器件属于增强型 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能和低功耗的场景下。

 应用场景

1. 电源管理:
   - IPB117N20NFDATMA1 适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。
   
2. 电机驱动:
   - 在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和高电流承载能力使其成为电动工具、家用电器(如洗衣机、空调)以及工业自动化设备的理想选择。

3. 逆变器和变频器:
   - 该器件在太阳能逆变器和变频器中表现出色,能够有效地将直流电转换为交流电,或改变交流电的频率和电压。其耐高压特性(200V Vds)确保了在高电压环境下稳定工作。

4. 电池管理系统(BMS):
   - 在电动汽车(EV)和储能系统中,IPB117N20NFDATMA1 可用于电池保护电路,防止过充、过放及短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。

5. 负载开关和保护电路:
   - 该 MOSFET 还可用于负载开关和保护电路中,提供快速响应和可靠的过流保护功能。其低栅极电荷(Qg)特性使得它在高频开关应用中表现优异。

6. 消费电子产品:
   - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,IPB117N20NFDATMA1 可用于电源管理和充电电路,确保设备在高效运行的同时保持较低的功耗。

总之,IPB117N20NFDATMA1 凭借其高性能、低功耗和可靠性,在广泛的电力电子应用中展现出卓越的表现,特别适合对效率和稳定性有较高要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152

产品图片

产品型号

IPB117N20NFDATMA1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 270µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6650pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

87nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.7 毫欧 @ 84A, 10V

供应商器件封装

TO-263-3

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

84A (Tc)

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