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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB117N20NFDATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB117N20NFDATMA1价格参考¥11.67-¥11.67。InfineonIPB117N20NFDATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3。您可以下载IPB117N20NFDATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB117N20NFDATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB117N20NFDATMA1 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。这款器件属于增强型 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能和低功耗的场景下。 应用场景 1. 电源管理: - IPB117N20NFDATMA1 适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动: - 在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和高电流承载能力使其成为电动工具、家用电器(如洗衣机、空调)以及工业自动化设备的理想选择。 3. 逆变器和变频器: - 该器件在太阳能逆变器和变频器中表现出色,能够有效地将直流电转换为交流电,或改变交流电的频率和电压。其耐高压特性(200V Vds)确保了在高电压环境下稳定工作。 4. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)和储能系统中,IPB117N20NFDATMA1 可用于电池保护电路,防止过充、过放及短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。 5. 负载开关和保护电路: - 该 MOSFET 还可用于负载开关和保护电路中,提供快速响应和可靠的过流保护功能。其低栅极电荷(Qg)特性使得它在高频开关应用中表现优异。 6. 消费电子产品: - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,IPB117N20NFDATMA1 可用于电源管理和充电电路,确保设备在高效运行的同时保持较低的功耗。 总之,IPB117N20NFDATMA1 凭借其高性能、低功耗和可靠性,在广泛的电力电子应用中展现出卓越的表现,特别适合对效率和稳定性有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 |
产品图片 | |
产品型号 | IPB117N20NFDATMA1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 270µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6650pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.7 毫欧 @ 84A, 10V |
供应商器件封装 | TO-263-3 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 84A (Tc) |