ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPB117N20NFDATMA1
Datasheet下载- 型号： IPB117N20NFDATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB117N20NFDATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB117N20NFDATMA1价格参考￥11.67-￥11.67。InfineonIPB117N20NFDATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 84A（Tc） 300W（Tc） TO-263-3。您可以下载IPB117N20NFDATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB117N20NFDATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB117N20NFDATMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6650pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.7 毫欧 @ 84A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-3 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Tc） |
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