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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB110N06L G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB110N06L G价格参考。InfineonIPB110N06L G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB110N06L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB110N06L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263MOSFET N-CH 60V 78A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 78 A |
Id-连续漏极电流 | 78 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB110N06L GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB_P110N06L+G+Rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dc9ff48f0 |
产品型号 | IPB110N06L G |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 158 W |
Pd-功率耗散 | 158 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 94µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 78A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
其它名称 | IPB110N06LGINDKR |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 158W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 78A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPB110N06LGXT |