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  • 型号: IPB110N06L G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB110N06L G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB110N06L G价格参考。InfineonIPB110N06L G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB110N06L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB110N06L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 78A TO-263MOSFET N-CH 60V 78A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

78 A

Id-连续漏极电流

78 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB110N06L GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB_P110N06L+G+Rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dc9ff48f0

产品型号

IPB110N06L G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

158 W

Pd-功率耗散

158 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

19 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 94µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

79nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 78A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB110N06LGINDKR

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

158W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

78A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPB110N06LGXT

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