【IPB100N06S2L-05/规格参数】厂家_IPB100N06S2L-05中文资料_价格

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型号： IPB100N06S2L-05
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB100N06S2L-05产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B100N06S2L-05_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4322a685747
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB100N06S2L-05OptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B100N06S2L-05_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43227e5573c
产品型号	IPB100N06S2L-05
Pd-PowerDissipation	300 W
Pd-功率耗散	300 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	25 ns
下降时间	24 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	230nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.4毫欧 @ 80A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-3
其它名称	IPB100N06S2L05ATMA1 SP000219003
典型关闭延迟时间	98 ns
功率-最大值	300W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
系列	IPB100N06
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPB100N06S2L05ATMA1 SP000219003