【IPB054N06N3 G/规格参数】厂家_IPB054N06N3 G中文资料_价格

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型号： IPB054N06N3 G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB054N06N3 G产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	53 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB054N06N3 GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
产品型号	IPB054N06N3 G
Pd-PowerDissipation	115 W
Pd-功率耗散	115 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	68 ns
下降时间	9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 58µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6600pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	82nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.4 毫欧 @ 80A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-2
其它名称	IPB054N06N3 GCT
典型关闭延迟时间	32 ns
功率-最大值	115W
包装	剪切带（CT）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
导通电阻	5.7 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	TO-263-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	53 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	IPB054N06
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPB054N06N3GATMA1 SP000446782