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  • 型号: IPB04N03LAT
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB04N03LAT由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB04N03LAT价格参考。InfineonIPB04N03LAT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB04N03LAT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB04N03LAT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB04N03LA_Rev1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429cf9b4200

产品图片

产品型号

IPB04N03LAT

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 60µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3877pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.9 毫欧 @ 55A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB04N03LAXTINCT

功率-最大值

107W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

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