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  • 型号: IPB015N04L G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPB015N04L G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB015N04L G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB015N04L G价格参考以及InfineonIPB015N04L G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB015N04L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPB015N04L G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB015N04L GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB015N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431936bc4b0119382488c359d3

产品型号

IPB015N04L G

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

346 nC

Qg-栅极电荷

346 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

13 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

28000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

346nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-2

其它名称

IPB015N04L G-ND
IPB015N04L GTR
IPB015N04LG
IPB015N04LGATMA1
SP000387948

典型关闭延迟时间

108 ns

功率-最大值

250W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

60 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

IPB015N04

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPB015N04LGATMA1 SP000387948

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