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产品简介:
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参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
Id-连续漏极电流 | 180 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET MV POWER MOS |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB010N06NATMA1 |
产品型号 | IPB010N06NATMA1 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 208 nC |
Qg-栅极电荷 | 208 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 36 ns |
下降时间 | 23 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 74 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | D2PAK-6 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 310 S |
系列 | IPB010N06 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000917410 |