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  • 型号: IPA65R600C6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA65R600C6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA65R600C6价格参考。InfineonIPA65R600C6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA65R600C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA65R600C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.3 A

Id-连续漏极电流

7.3 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA65R600C6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac71e681d2c2e

产品型号

IPA65R600C6

Pd-PowerDissipation

28 W

Pd-功率耗散

28 W

Qg-GateCharge

23 nC

Qg-栅极电荷

23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

700 V

Vds-漏源极击穿电压

700 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9 nS

下降时间

13 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 210µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 2.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220 整包

其它名称

IPA65R600C6XKSA1
SP000850502

典型关闭延迟时间

80 nS

功率-最大值

28W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Tc)

系列

IPA65R600

配置

Single

零件号别名

IPA65R600C6XKSA1 SP000850502

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