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  • 型号: IPA60R750E6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA60R750E6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA60R750E6价格参考。InfineonIPA60R750E6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA60R750E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA60R750E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220MOSFET N-CH 650V 5.7A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.7 A

Id-连续漏极电流

5.7 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA60R750E6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPA60R750E6_2.0_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a14dd54012a191d8c272ae2

产品型号

IPA60R750E6

Pd-PowerDissipation

27 W

Pd-功率耗散

27 W

Qg-GateCharge

17.2 nC

Qg-栅极电荷

17.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

680 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

680 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 170µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

373pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO-220-FP

其它名称

IPA60R750E6XKSA1
SP000842480

功率-最大值

27W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.7A (Tc)

系列

IPA60R750

零件号别名

IPA60R750E6XKSA1 SP000842480

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