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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220MOSFET N-CH 650V 7.3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA60R600E6CoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0 |
产品型号 | IPA60R600E6 |
Pd-PowerDissipation | 28 W |
Pd-功率耗散 | 28 W |
Qg-GateCharge | 20.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 20.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 2.4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
其它名称 | IPA60R600E6XKSA1 |
功率-最大值 | 28W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Tc) |
系列 | IPA60R600 |
零件号别名 | IPA60R600E6XKSA1 SP000797298 |