ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPA50R950CE
Datasheet下载- 型号： IPA50R950CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPA50R950CE产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R950CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R950CE价格参考。InfineonIPA50R950CE封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP。您可以下载IPA50R950CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA50R950CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPA50R950CE是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该型号具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，它可以作为功率级开关元件，用于DC-DC转换器或AC-DC适配器中。 2. 电机驱动：IPA50R950CE适用于各种电机控制场景，如无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机驱动等。它能够高效地控制电流流向，支持快速开关操作，并具备良好的热性能，以应对电机启动和运行时的大电流需求。 3. 负载切换与保护电路：在汽车电子、工业自动化设备以及消费类电子产品中，该MOSFET可以用作负载切换开关，实现对负载的快速开启和关闭。同时，它也可以集成到过流保护、短路保护等安全电路中，确保系统稳定运行。 4. 太阳能逆变器：在可再生能源领域，这款MOSFET可用于微型逆变器或优化器的设计中，帮助将光伏板产生的直流电转换为交流电，提高能源转换效率。 5. 电池管理系统（BMS）：IPA50R950CE适合用作电池充放电路径上的主控开关，管理锂电池或其他类型电池组的充放电过程，提供精确的电流控制和保护功能。 6. 音频放大器：由于其出色的线性特性和低导通损耗，该器件还可以应用于音频功率放大器中，充当输出级开关，提供高质量的声音输出。 综上所述，IPA50R950CE凭借其优异的电气参数和可靠性，广泛适用于需要高效功率转换、精准电流控制及紧凑设计的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FPMOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R950CE_2_0+%282%29.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R950CECoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007 |
| 产品型号 | IPA50R950CE |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 26 W |
| Pd-功率耗散 | 26 W |
| Qg-GateCharge | 10.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 231pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 1.2A，13V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220FP |
| 其它名称 | IPA50R950CEIN |
| 功率-最大值 | 26W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Tc） |
| 系列 | IPA50R950 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA50R950CEXKSA1 SP000939328 |
.jpg)
