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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R280CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R280CE价格参考。InfineonIPA50R280CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA50R280CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA50R280CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FPMOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPX50R280CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R280CECoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007 |
产品型号 | IPA50R280CE |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 30 W |
Pd-功率耗散 | 30 W |
Qg-GateCharge | 32.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 32.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 350µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 773pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 4.2A,13V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO220FP |
其它名称 | IPA50R280CEIN |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 500 |
应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
系列 | IPA50R280 |
配置 | Single |
零件号别名 | IPA50R280CEXKSA1 SP000848218 |