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  • 型号: IPA50R280CE
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R280CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R280CE价格参考。InfineonIPA50R280CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA50R280CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA50R280CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FPMOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPX50R280CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R280CECoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007

产品型号

IPA50R280CE

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

30 W

Pd-功率耗散

30 W

Qg-GateCharge

32.6 nC

Qg-栅极电荷

32.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 350µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

773pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 4.2A,13V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220FP

其它名称

IPA50R280CEIN
IPA50R280CEXKSA1
SP000848218

功率-最大值

30W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

应用说明

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

系列

IPA50R280

配置

Single

零件号别名

IPA50R280CEXKSA1 SP000848218

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