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IPA50R190CE产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R190CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R190CE价格参考。InfineonIPA50R190CE封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 18.5A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP。您可以下载IPA50R190CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA50R190CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb |
产品图片 | |
产品型号 | IPA50R190CE |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 510µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1137pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 6.2A, 13V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
其它名称 | IPA50R190CEXKSA1 |
功率-最大值 | 32W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18.5A (Tc) |