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Datasheet下载- 型号： IMX1T110
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMX1T110产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMX1T110由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMX1T110价格参考￥0.53-￥2.02。ROHM SemiconductorIMX1T110封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMX1T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMX1T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IMX1T110是索尼（Sony）生产的一款高性能CMOS图像传感器，广泛应用于各种需要高质量图像捕捉的设备中。它具有高分辨率、低噪声、高灵敏度等特点，适合在多种应用场景中使用。 1. 智能手机与平板电脑 IMX1T110常用于高端智能手机和平板电脑的摄像头模块中。其高分辨率和快速对焦能力使得用户可以在不同光线条件下拍摄出清晰、细腻的照片和视频。特别是在低光环境下，IMX1T110的高灵敏度和低噪声特性可以显著提升成像质量，减少噪点，保证画面的纯净度。 2. 监控与安防系统 在监控和安防领域，IMX1T110的应用也非常广泛。它能够提供高分辨率的实时视频流，支持宽动态范围（WDR），确保在复杂光照条件下（如背光场景）依然可以获得清晰的图像。此外，IMX1T110的低功耗设计也使其适用于长时间运行的监控设备，降低了能耗和维护成本。 3. 汽车电子与ADAS系统 IMX1T110在汽车电子领域也有重要应用，尤其是在高级驾驶辅助系统（ADAS）中。它可以帮助车辆实现车道保持、自动紧急制动、行人检测等功能。IMX1T110的高灵敏度和低延迟特性使其能够在各种天气和光照条件下准确捕捉路面信息，为驾驶员提供可靠的视觉辅助。 4. 医疗影像设备 在医疗影像设备中，IMX1T110被用于内窥镜、显微镜等设备的图像采集模块。其高分辨率和低噪声特性可以确保医生获得清晰、准确的医学影像，帮助进行更精确的诊断和治疗。此外，IMX1T110的小尺寸设计也使得它可以集成到便携式医疗设备中，提高了使用的灵活性。 5. 工业检测与机器人视觉 IMX1T110还广泛应用于工业检测和机器人视觉系统中。其高分辨率和快速响应能力可以满足精密制造和自动化生产线的需求，帮助检测产品缺陷、识别物体形状和位置等。IMX1T110的稳定性也使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 总之，IMX1T110凭借其卓越的性能和广泛的适用性，在多个领域发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMX1T110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMX1T110 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMX1T110CT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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EMX1 / UMX1N / IMX1 General purpose transistor (dual transistors) Datasheet llOutline Parameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363 V 50V CEO I 150mA C EMX1 UMX1N (EMT6) (UMT6) SOT-457 llFeatures 1) Two 2SC2412K chips in a EMT, UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3, UMT3 or SMT3 IMX1 automatic mounting machines. (SMT6) 3)Transistor elements are independent, eliminating interference. llInner circuit 4)Mounting cost and area can be cut in half. EMX1 / UMX1N IMX1 llApplication GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER llPackaging specifications Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) SOT-563 EMX1 1616 T2R 180 8 8000 X1 (EMT6) SOT-363 UMX1N 2021 TN 180 8 3000 X1 (UMT6) SOT-457 IMX1 2928 T110 180 8 3000 X1 (SMT6) www.rohm.com 1/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage V 60 V CBO Collector-emitter voltage V 50 V CEO Emitter-base voltage V 7 V EBO Collector current I 150 mA C EMX1/ UMX1N P *1 *2 150 mW/Total D Power dissipation IMX1 P *1 *3 300 mW/Total D Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage BV I = 50μA 60 - - V CBO C Collector-emitter breakdown BV I = 1mA 50 - - V voltage CEO C Emitter-base breakdown voltage BV I = 50μA 7 - - V EBO E Collector cut-off current I V = 60V - - 100 nA CBO CB Emitter cut-off current I V = 7V - - 100 nA EBO EB Collector-emitter saturation voltage V I = 50mA, I = 5mA - - 400 mV CE(sat) C B DC current gain h V = 6V, I = 1mA 120 - 560 - FE CE C V = 12V, I = -2mA, CE E Transition frequency f - 180 - MHz T f = 100MHz V = 12V, I = 0A, Output capacitance C CB E - 2.0 3.5 pF ob f = 1MHz *1 Each terminal mounted on a reference land. *2 120mW per element must not be exceeded. *3 200mW per element must not be exceeded. www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/8 20150825 - Rev.003
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.1 Ground Emitter Propagation Fig.2 Grounded Emitter Output Characteristics Characteristics Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current (I) Current (lI) www.rohm.com 3/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current(l) vs. Collector Current(ll) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage Fig.8 Gain Bandwith Product vs. vs. Collector Current (I) Emitter Current www.rohm.com 4/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.9 Collector Output Capacitance vs. Fig.10 Safe Operating Area Collector-Base Voltage Emitter Input Capacitance vs. Emitter-Base Voltage Fig.11 Safe Operating Area Fig.12 Safe Operating Area www.rohm.com 5/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llDimensions www.rohm.com 6/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llDimensions www.rohm.com 7/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llDimensions www.rohm.com 8/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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