EMX1 / UMX1N / IMX1 General purpose transistor (dual transistors) Datasheet llOutline Parameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363 V 50V CEO I 150mA C 　　 　　 　 　 EMX1 UMX1N (EMT6) (UMT6) SOT-457 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 llFeatures 　　 1) Two 2SC2412K chips in a EMT, UMT or 　　 　　 SMT package. 　　 　　 2) Mounting possible with EMT3, UMT3 or SMT3 IMX1 　 　　automatic mounting machines. (SMT6) 　 3)Transistor elements are independent, 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 eliminating interference. llInner circuit 4)Mounting cost and area can be cut in half. EMX1 / UMX1N IMX1 llApplication GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER llPackaging specifications 　 　 　 　 　 　 Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) SOT-563 EMX1 1616 T2R 180 8 8000 X1 (EMT6) SOT-363 UMX1N 2021 TN 180 8 3000 X1 (UMT6) SOT-457 IMX1 2928 T110 180 8 3000 X1 (SMT6) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 1/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage V 60 V CBO Collector-emitter voltage V 50 V CEO Emitter-base voltage V 7 V EBO Collector current I 150 mA C EMX1/ UMX1N P *1 *2 150 mW/Total D Power dissipation IMX1 P *1 *3 300 mW/Total D Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage BV I = 50μA 60 - - V CBO C Collector-emitter breakdown BV I = 1mA 50 - - V voltage CEO C Emitter-base breakdown voltage BV I = 50μA 7 - - V EBO E Collector cut-off current I V = 60V - - 100 nA CBO CB Emitter cut-off current I V = 7V - - 100 nA EBO EB Collector-emitter saturation voltage V I = 50mA, I = 5mA - - 400 mV CE(sat) C B DC current gain h V = 6V, I = 1mA 120 - 560 - FE CE C V = 12V, I = -2mA, CE E Transition frequency f - 180 - MHz T f = 100MHz V = 12V, I = 0A, Output capacitance C CB E - 2.0 3.5 pF ob f = 1MHz *1 Each terminal mounted on a reference land. *2 120mW per element must not be exceeded. *3 200mW per element must not be exceeded. 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/8 20150825 - Rev.003

EMX1 / UMX1N / IMX1 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.1 Ground Emitter Propagation Fig.2 Grounded Emitter Output 　　　　Characteristics 　　　　Characteristics Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Fig.4 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (I) 　　　　Current (lI) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 3/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMX1 / UMX1N / IMX1 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current(l) 　　　　vs. Collector Current(ll) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage Fig.8 Gain Bandwith Product vs. 　　　　vs. Collector Current (I) 　　　　 Emitter Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 4/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMX1 / UMX1N / IMX1 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a <For Tr1 and Tr2 in common> Fig.9 Collector Output Capacitance vs. Fig.10 Safe Operating Area 　　 　 Collector-Base Voltage 　　 　 Emitter Input Capacitance vs. 　　 　 Emitter-Base Voltage Fig.11 Safe Operating Area Fig.12 Safe Operating Area 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 5/8 20150825 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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