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  • 型号: IMT1AT110
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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IMT1AT110产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IMT1AT110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMT1AT110价格参考¥0.51-¥0.89。ROHM SemiconductorIMT1AT110封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMT1AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMT1AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的IMT1AT110是一款双极性晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是一些常见的应用场景:

1. 开关电路:IMT1AT110可以用于设计高效的开关电路,适用于需要快速切换状态的应用,如继电器驱动、LED控制等。

2. 信号放大:该器件能够用于音频和射频信号的放大,适合于低噪声、高增益的前置放大器设计,确保信号不失真地传输。

3. 电流检测与保护:在电源管理或电机控制中,IMT1AT110可用于监测负载电流,并在过流情况下提供保护功能。

4. 脉宽调制(PWM)控制:在DC-DC转换器或LED驱动器中,利用其高速开关特性实现精确的PWM控制,提高效率并减少能量损耗。

5. 传感器接口:将微弱的传感器输出信号进行放大处理,以便后续ADC采样或其他逻辑电路识别。

6. 多路复用/解复用:通过组合多个独立的BJT单元来构建复杂的模拟多路选择器或分配器网络。

7. 恒流源/恒压源:利用其稳定的直流参数特性构建精密的电流源或电压源,为敏感元件供电。

8. 振荡器与定时电路:结合外部RC网络形成多谐振荡器或多阶段延迟线,用于产生周期性波形或时间基准。

这些应用充分利用了IMT1AT110的小型化封装、优良的电气特性和可靠性,满足消费电子、工业自动化及汽车电子等领域的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL PNP 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMT1AT110-

数据手册

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产品型号

IMT1AT110

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SMT6

其它名称

IMT1AT110CT

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

140 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.15 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

560

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 50 V

集电极—基极电压VCBO

- 60 V

集电极连续电流

- 150 mA

频率-跃迁

140MHz

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