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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMN10T108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMN10T108价格参考¥0.45-¥0.80。ROHM SemiconductorIMN10T108封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457。您可以下载IMN10T108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMN10T108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMN10T108是一款二极管整流器阵列,专为多种应用场景设计。这款器件具有低正向电压降和高浪涌电流能力,适用于需要高效、可靠整流的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IMN10T108广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、线性电源和不间断电源(UPS)。它能够有效地将交流电转换为直流电,确保系统稳定运行。其低正向电压降有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。 2. 电池充电电路 在便携式设备的电池充电电路中,IMN10T108可以用于保护电池免受过充和反向电流的影响。其快速响应特性和低功耗特性使其成为理想选择,尤其是在对能效要求较高的应用中。 3. 电机驱动 IMN10T108可用于电机驱动电路中的续流二极管,防止电机反电动势对电路造成损害。它能够承受较大的瞬态电流,确保电机在启动、停止或换向时的安全性和稳定性。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中,IMN10T108可以用于直流母线的整流部分,确保稳定的直流输出。其高耐压能力和快速恢复特性使其能够在高频开关环境中保持良好的性能。 5. 汽车电子 IMN10T108在汽车电子系统中也有广泛应用,如车载充电器、LED照明驱动器等。它能够承受汽车环境中常见的电压波动和瞬态冲击,提供可靠的整流功能。 6. 工业控制 在工业自动化和控制系统中,IMN10T108可以用于各种传感器接口、信号调理电路以及通信模块的电源部分。其高可靠性确保了工业环境下的长期稳定运行。 总之,IMN10T108凭借其优异的电气特性,广泛适用于各类需要高效、可靠整流的应用场景,特别是在对能效和可靠性有较高要求的领域中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ARRAY 80V 100MA 6SMD二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH 80V 100MA SOT-457 |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,ROHM Semiconductor IMN10T108- |
数据手册 | |
产品型号 | IMN10T108 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 70V |
二极管类型 | 标准 |
二极管配置 | 3 个独立式 |
产品 | Switching Diodes |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
供应商器件封装 | 6-SMD |
其它名称 | IMN10T108DKR |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | 4ns |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SOT-457 |
峰值反向电压 | 80 V |
工作温度范围 | + 150 C |
工厂包装数量 | 3000 |
恢复时间 | 4 ns |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 1.2 V |
正向连续电流 | 300 mA |
热阻 | - |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 80V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 100mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
配置 | Triple Parallel |