EMH9 / UMH9N / IMH9A General purpose (dual digital transistors) Datasheet llOutline Parameter DTr1 and DTr2 SOT-563 SOT-363 V 50V CC I 100mA C(MAX.) 　　 　　 R 10kΩ 1 EMH9 UMH9N R2 47kΩ (EMT6) (UMT6) SOT-457 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 llFeatures 　　 1)Two DTC114Y chips in a EMT or UMT or 　　 　 SMT package. 　　 　　 2)Mounting possible with EMT3 or UMT3 or IMH9A 　 (SMT6) 　 　 SMT3 automatic mounting machines. 　 　 　 　 　 　 　 　 3)Transistor elements are independent, 　 　 　 llInner circuit 　 eliminating interference. 4)Mounting cost and area can be cut in half. EMH9 / UMH9N IMH9A llApplication INVERTER, INTERFACE, DRIVER llPackaging specifications 　 　 　 　 　 　 Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) SOT-563 EMH9 1616 T2R 180 8 8000 H9 (EMT6) SOT-363 UMH9N 2021 TN 180 8 3000 H9 (UMT6) SOT-457 IMH9A 2928 T110 180 8 3000 H9 (SMT6) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 1/7 20151001 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMH9 / UMH9N / IMH9A Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Parameter Symbol Values Unit Supply voltage V 50 V CC Input voltage V -6 to 40 V IN Output current I 70 mA O Collector current I *1 100 mA C(MAX) EMH9 P *2*3 150 D Power dissipation UMH9N P *2*3 150 mW D IMH9A P *2*4 300 D Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. V V = 5V, I = 100μA - - 0.3 I(off) CC O Input voltage V V V = 0.3V, I = 1mA 1.4 - - I(on) O O Output voltage V I = 5mA, I = 0.25mA - 100 300 mV O(on) O I Input current I V = 5V - - 880 μA I I Output current I V = 50V, V = 0V - - 500 nA O(off) CC I DC current gain G V = 5V, I = 5mA 68 - - - I O O Input resistance R - 7 10 13 kΩ 1 Resistance ratio R /R - 3.7 4.7 5.7 - 2 1 V = 10V, I = -5mA, Transition frequency f *1 CE E - 250 - MHz T f = 100MHz *1 Characteristics of built-in transistor *2 Each terminal mounted on a reference land *3 120mW per element must not be exceeded. *4 200mW per element must not be exceeded. 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/7 20151001 - Rev.002

EMH9 / UMH9N / IMH9A 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Fig.1 Input Voltage vs. Output Current Fig.2 Output Current vs. Input Voltage 　　　　(ON Characteristics) 　　　　(OFF Characteristics) Fig.3 Output Current vs. Output Voltage Fig.4 DC Current Gain vs. Output Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 3/7 20151001 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMH9 / UMH9N / IMH9A 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Fig.5 Output Voltage vs. Output Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/7 20151001 - Rev.002

EMH9 / UMH9N / IMH9A 　 　 　 Datasheet llDimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 5/7 20151001 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

EMH9 / UMH9N / IMH9A 　 　 　 Datasheet llDimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 6/7 20151001 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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