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  • 型号: IMD10AT108
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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IMD10AT108产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IMD10AT108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD10AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMD10AT108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMD10AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMD10AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP 50V 500MA SOT-457

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD10AT108-

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产品型号

IMD10AT108

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMT6

其它名称

IMD10AT108DKR

典型电阻器比率

0.01 at PNP

典型输入电阻器

10 kOhms at NPN, 100 kOhms at PNP

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74-6

峰值直流集电极电流

100 mA at NPN, 500 mA at PNP

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k,100

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

- 500 mA

频率-跃迁

250MHz,200MHz

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