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Datasheet下载- 型号： ILD217T
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ILD217T由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ILD217T价格参考。VishayILD217T封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出， 光隔离器 晶体管 输出 4000Vrms 2 通道 8-SOIC。您可以下载ILD217T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ILD217T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Opto Division的ILD217T是一种光隔离器，属于光电晶体管输出类型。其主要功能是通过光信号实现电气隔离，适用于需要在输入和输出之间提供高隔离度的场景。以下是ILD217T的一些典型应用场景： 1. 工业自动化 - 在工业控制中，ILD217T可用于隔离传感器信号与控制系统之间的连接。例如，用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出接口，防止噪声干扰或高压损坏敏感电路。 - 应用于电机驱动器、变频器等设备中，隔离控制信号与功率级电路。 2. 医疗设备 - 在医疗电子领域，如心电图仪、血压监测仪等设备中，ILD217T可以隔离患者侧信号与设备内部电路，确保患者安全并减少电磁干扰。 - 提供高可靠性隔离，满足医疗设备对电气安全的严格要求。 3. 通信系统 - 用于通信设备中的信号隔离，例如调制解调器、数据传输模块等，防止不同电路间的电压波动影响信号质量。 - 在RS-232、RS-485等串行通信接口中，ILD217T可作为隔离元件，保护通信链路免受地环路或浪涌电流的影响。 4. 电力电子 - 在开关电源、逆变器和UPS（不间断电源）中，ILD217T可用于隔离反馈信号或控制信号，确保主电路与控制电路的安全分离。 - 在电网监控和保护装置中，实现高压侧与低压侧的电气隔离。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）、车载网络（CAN总线）等，ILD217T可以隔离信号以提高抗干扰能力。 - 适用于电动汽车中的电池管理系统（BMS），隔离电池电压检测信号。 6. 消费类电子产品 - 在家用电器中，如洗衣机、空调等设备的控制器中，ILD217T可用于隔离用户界面与主控板之间的信号。 - 在音频设备中，用于隔离数字信号与模拟信号，减少噪声干扰。 特性总结 ILD217T具有以下特点： - 高隔离电压（通常可达数千伏），适合严苛环境下的应用。 - 响应速度快，适用于高频信号隔离。 - 工作温度范围宽，适应各种工作条件。 - 小型化封装设计，便于集成到紧凑型设备中。 总之，ILD217T广泛应用于需要电气隔离的各种场合，能够有效提高系统的稳定性和安全性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISOLTR 4KV 2CH TRANS 8-SOIC晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR >100% |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Opto Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Vishay Semiconductors ILD217T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ILD217TILD217T |
| Vce饱和值（最大值） | 400mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 3µs， 4.7µs |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 751-1313-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 6µs， 5µs |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.55 V |
| 最大输入二极管电流 | 30 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 70 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电流 | 30 mA |
| 每芯片的通道数量 | 2 Channels |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.2V |
| 电压-输出（最大值） | 70V |
| 电压-隔离 | 4000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 30mA |
| 电流-输出/通道 | - |
| 电流传输比（最大值） | - |
| 电流传输比（最小值） | 100% @ 1mA |
| 电流传递比 | 120 % |
| 绝缘电压 | 4000 Vrms |
| 输入类型 | DCDC |
| 输出类型 | DC晶体管 |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 2 |
| 配置 | 2 Channel |
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