ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IKW75N60H3FKSA1
Datasheet下载- 型号： IKW75N60H3FKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IKW75N60H3FKSA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IKW75N60H3FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKW75N60H3FKSA1价格参考。InfineonIKW75N60H3FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IKW75N60H3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IKW75N60H3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 31ns/265ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 225A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 428W TO247-3IGBT 晶体管 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 470nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW75N60H3FKSA1TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IKW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d2e3ee60056 |
| 产品型号 | IKW75N60H3FKSA1 |
| SwitchingEnergy | 3mJ （开）， 1.7mJ （关） |
| TestCondition | 400V， 75A， 5.2 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，75A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 功率-最大值 | 428W |
| 功率耗散 | 428 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 190ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PG-TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | IKW75N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |
| 零件号别名 | SP000906806 |
