ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IKW40N65H5FKSA1
Datasheet下载- 型号： IKW40N65H5FKSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IKW40N65H5FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKW40N65H5FKSA1价格参考。InfineonIKW40N65H5FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IKW40N65H5FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IKW40N65H5FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IKW40N65H5FKSA1是一款增强型n沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超低导通电阻功率MOSFET (UGBT) 类别。该器件具有以下关键参数： - 最大漏源电压（VDS）：650V - 持续漏极电流（ID）：40A（在25°C时） - 导通电阻（RDS(on)）：130mΩ（最大值，25°C） 应用场景 1. 工业电源和开关电源： - 适用于各种工业级开关电源（SMPS），如不间断电源（UPS）、焊接设备、电机驱动器等。 - 高击穿电压（650V）使其适合高压应用，能够承受瞬态电压波动，确保系统稳定运行。 2. 逆变器和变频器： - 广泛应用于太阳能逆变器、风力发电逆变器及工业变频器中。 - MOSFET的快速开关特性有助于提高转换效率，降低能耗，同时减少热量产生。 3. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）： - 在车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器中发挥重要作用。 - 高电流承载能力和低导通电阻有助于提升电动汽车的动力性能和续航里程。 4. 电机控制： - 用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机。 - 快速响应时间和低损耗特性使得电机控制系统更加高效和可靠。 5. 电池管理系统（BMS）： - 在电池保护电路中作为开关元件，确保电池充放电过程的安全性。 - 精确的导通和关断控制有助于延长电池寿命并提高安全性。 6. 家电产品： - 应用于高端家电如空调、冰箱、洗衣机等的电源管理和电机驱动部分。 - 提供高效的电力转换，减少能量损失，符合现代家电对能效的要求。 总之，IKW40N65H5FKSA1凭借其高耐压、大电流和低导通电阻的特点，在需要高效电力转换和控制的应用中表现出色，特别适用于工业、汽车和消费电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/165ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 95nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW40N65H5FKSA1TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IKP_IKW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa8ba6fb6078 |
| 产品型号 | IKW40N65H5FKSA1 |
| SwitchingEnergy | 390µJ （开）， 120µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 20A， 15 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，40A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | SP001001730 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 功率耗散 | 255 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 62ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 74 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 74A |
| 系列 | IKW40N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 46 A |
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