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IKW25N120H3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IKW25N120H3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IKW25N120H3价格参考¥30.09-¥60.10以及InfineonIKW25N120H3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IKW25N120H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IKW25N120H3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 27ns/277ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
描述 | IGBT 1200V 50A 326W TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 115nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW25N120H3TrenchStop® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IKW25N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591c1a4f67016 |
产品型号 | IKW25N120H3 |
SwitchingEnergy | 2.65mJ |
TestCondition | 600V, 25A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,25A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | IKW25N120H3FKSA1 |
功率-最大值 | 326W |
功率耗散 | 326 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 290ns |
商标 | Infineon Technologies |
在25C的连续集电极电流 | 50 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
标准包装 | 240 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
系列 | IKW25N120 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.05 V |
集电极最大连续电流Ic | 50 A |
零件号别名 | IKW25N120H3FKSA1 SP000674418 |