图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IKW15N120H3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IKW15N120H3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IKW15N120H3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IKW15N120H3价格参考¥-¥41.64以及InfineonIKW15N120H3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IKW15N120H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IKW15N120H3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

21ns/260ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

60A

描述

IGBT 1200V 30A 217W TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

75nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW15N120H3TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741

产品型号

IKW15N120H3

SwitchingEnergy

1.55mJ

TestCondition

600V, 15A, 35 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,15A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IKW15N120H3FKSA1
SP000674422

功率-最大值

217W

功率耗散

217 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

260ns

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

30 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

600 nA

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30A

系列

IKW15N120

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.7 V

零件号别名

IKW15N120H3FKSA1 SP000674422

IKW15N120H3 相关产品

TX24-40R-12ST-N1E

品牌:JAE Electronics

价格:

SN74AC00D

品牌:Texas Instruments

价格:

BZX84C20-7-F

品牌:Diodes Incorporated

价格:¥0.12-¥0.15

INA213BIRSWR

品牌:Texas Instruments

价格:

MC9S08MM128VLK

品牌:NXP USA Inc.

价格:

SSL2101T/DB/FBCB120V,598

品牌:NXP USA Inc.

价格:

PX0412/04S

品牌:Bulgin

价格:

TPS72018DRVR

品牌:Texas Instruments

价格: