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Datasheet下载- 型号： IKP40N65H5XKSA1
- 制造商： Infineon
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IKP40N65H5XKSA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IKP40N65H5XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKP40N65H5XKSA1价格参考。InfineonIKP40N65H5XKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3。您可以下载IKP40N65H5XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IKP40N65H5XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IKP40N65H5XKSA1是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超低导通电阻沟槽栅极MOSFET (UGBT) 类别。这款器件具有出色的电气性能，适用于多种高功率和高频应用场合。 主要应用场景包括： 1. 工业电源和电机驱动： - IKP40N65H5XKSA1适用于工业电源转换器、逆变器以及电机驱动电路中。其低导通电阻特性有助于提高效率，减少热量产生，从而延长设备寿命并降低维护成本。 - 在这些应用中，它能够快速开关，支持高效能的直流-交流或直流-直流转换过程，特别适合用于可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率调节。 2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)： - 该MOSFET在车载充电器、DC/DC转换器及牵引逆变器中有广泛应用。其紧凑的设计和高效的性能使其成为新能源汽车的理想选择，有助于实现更高的能量密度和更长的续航里程。 - 它还具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，确保车辆电子系统的可靠性。 3. 消费类电子产品： - 对于需要高性能电源管理的消费类设备，例如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，IKP40N65H5XKSA1可以提供稳定的电流输出，并且通过优化设计以减小体积和重量。 - 其内置的保护机制也能有效防止过流、过温等问题，提升产品的安全性和用户体验。 总之，Infineon的IKP40N65H5XKSA1 MOSFET凭借其卓越的技术参数，在众多领域展现了广泛的应用潜力，特别是在追求高效节能和小型化设计的产品中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/165ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 74A 255W TO220-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 95nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IKP_IKW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa8ba6fb6078 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IKP40N65H5XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchStop® |
| SwitchingEnergy | 390µJ （开）， 120µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 20A， 15 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，40A |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | SP001001720 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 62ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 74A |
| 输入类型 | 标准 |
