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型号： IHW40N135R3FKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IHW40N135R3FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IHW40N135R3FKSA1价格参考。InfineonIHW40N135R3FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 1350V 80A 429W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IHW40N135R3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IHW40N135R3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IHW40N135R3FKSA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超结功率MOSFET系列。该器件具有以下关键特性：

1. 高电压耐受：额定击穿电压为1350V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：在高电压下仍能保持较低的导通电阻，提高效率。
3. 快速开关性能：具备快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 低栅极电荷：有助于降低驱动功耗，提高系统效率。
5. 紧凑封装：采用DPAK (TO-252) 封装，节省空间。

 应用场景

1. 电源管理：
   - 适用于各种工业和消费类电源管理系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够在高效转换和稳定输出方面表现出色。

2. 电机驱动：
   - 在电机驱动电路中，尤其是需要高电压驱动的场合，如电动工具、家电设备中的电机控制。其快速开关特性和低损耗特性能够提高电机的响应速度和效率。

3. 逆变器和变频器：
   - 广泛应用于太阳能逆变器、风力发电逆变器以及工业变频器中。这些应用需要高效的电力转换和精确的电流控制，IHW40N135R3FKSA1 的特性正好满足这些需求。

4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   - 用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和牵引逆变器等关键组件。其高压耐受和高效性能有助于提高车辆的续航里程和整体性能。

5. 智能电网和储能系统：
   - 在智能电网和储能系统中，用于电力调节和能量管理。其高可靠性和高效性能确保了系统的稳定运行和能源的有效利用。

总之，IHW40N135R3FKSA1 凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各种高压、高效电力转换和控制领域，特别是在对效率和可靠性要求极高的工业和新能源应用中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW40N135R3FKSA1
产品型号	IHW40N135R3FKSA1
产品种类	IGBT 晶体管
功率耗散	215 W
商标	Infineon Technologies
在25C的连续集电极电流	80 A
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	240
栅极/发射极最大电压	20 V
栅极—射极漏泄电流	100 nA
系列	IHW40N135
集电极—发射极最大电压VCEO	1.35 kV
集电极—射极饱和电压	1.85 V
集电极最大连续电流Ic	80 A
零件号别名	SP000989498