ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IHW40N135R3FKSA1
Datasheet下载- 型号： IHW40N135R3FKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IHW40N135R3FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IHW40N135R3FKSA1价格参考。InfineonIHW40N135R3FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 1350V 80A 429W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IHW40N135R3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IHW40N135R3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW40N135R3FKSA1 |
| 产品型号 | IHW40N135R3FKSA1 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 功率耗散 | 215 W |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 系列 | IHW40N135 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.35 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 80 A |
| 零件号别名 | SP000989498 |
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