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  • 型号: IHW30N160R2
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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IHW30N160R2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IHW30N160R2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IHW30N160R2价格参考以及InfineonIHW30N160R2封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IHW30N160R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IHW30N160R2详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-/525ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

90A

描述

IGBT 1600V 60A 312W TO247-3IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

94nC

IGBT类型

NPT、沟道和场截止

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW30N160R2TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69

产品型号

IHW30N160R2

SwitchingEnergy

4.37mJ

TestCondition

600V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.1V @ 15V,30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IHW30N160R2FKSA1
SP000273701

功率-最大值

312W

功率耗散

312 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

+/- 25 V

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

1600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

IHW30N160

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.6 kV

集电极—射极饱和电压

2.35 V

集电极最大连续电流Ic

60 A

零件号别名

IHW30N160R2FKSA1 SP000273701

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