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IHW30N160R2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IHW30N160R2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IHW30N160R2价格参考以及InfineonIHW30N160R2封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IHW30N160R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IHW30N160R2详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | -/525ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 94nC |
IGBT类型 | NPT、沟道和场截止 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW30N160R2TrenchStop® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69 |
产品型号 | IHW30N160R2 |
SwitchingEnergy | 4.37mJ |
TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,30A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | IHW30N160R2FKSA1 |
功率-最大值 | 312W |
功率耗散 | 312 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
标准包装 | 240 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
系列 | IHW30N160 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.6 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |
零件号别名 | IHW30N160R2FKSA1 SP000273701 |