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  • 型号: IHW30N135R3FKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IHW30N135R3FKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IHW30N135R3FKSA1价格参考。InfineonIHW30N135R3FKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IHW30N135R3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IHW30N135R3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-/337ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

90A

描述

IGBT 1350V 60A 349W TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

263nC

IGBT类型

沟道

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW30N135R3FKSA1TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88

产品型号

IHW30N135R3FKSA1

SwitchingEnergy

1.93mJ (关)

TestCondition

600V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.85V @ 15V、 30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

功率-最大值

349W

功率耗散

175 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

60 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

1350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

IHW30N135

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

1.35 kV

集电极—射极饱和电压

1.85 V

集电极最大连续电流Ic

30 A

零件号别名

SP000989496

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