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  • 型号: IHW20N120R3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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IHW20N120R3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IHW20N120R3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IHW20N120R3价格参考以及InfineonIHW20N120R3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IHW20N120R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IHW20N120R3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-/387ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

60A

描述

IGBT 1200V 40A 310W TO247-3IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

211nC

IGBT类型

沟道

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IHW20N120R3TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IHW20N120R3_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121819187cb19a8

产品型号

IHW20N120R3

PCN其它

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SwitchingEnergy

950µJ (关)

TestCondition

600V, 20A, 15 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.7V @ 15V,20A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IHW20N120R3FKSA1
SP000437702

功率-最大值

310W

功率耗散

310 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

40 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO247-3

工厂包装数量

240

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

6.4 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

系列

IHW20N120

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

1.48 V

零件号别名

IHW20N120R3FKSA1 SP000437702

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