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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGW75N60T由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW75N60T价格参考。InfineonIGW75N60T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGW75N60T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGW75N60T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 33ns/330ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 225A |
描述 | IGBT 600V 150A 428W TO247-3IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 470nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW75N60TTrenchStop® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 |
产品型号 | IGW75N60T |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 4.5mJ |
TestCondition | 400V, 75A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,75A |
产品种类 | Power Semiconductors |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | IGW75N60TFKSA1 |
功率-最大值 | 428W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 240 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150A |
系列 | IGW75N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 150 A |
零件号别名 | IGW75N60TFKSA1 SP000054927 |