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  • 型号: IGW50N60H3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IGW50N60H3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW50N60H3价格参考。InfineonIGW50N60H3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGW50N60H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGW50N60H3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

23ns/235ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 600V 100A 333W TO247-3IGBT 晶体管 600V 50A 333W

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

315nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW50N60H3TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af

产品型号

IGW50N60H3

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

SwitchingEnergy

2.36mJ

TestCondition

400V, 50A, 7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IGW50N60H3FKSA1
SP000702548

功率-最大值

333W

功率耗散

333 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

50 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

240

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100A

系列

IGW50N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.85 V

零件号别名

IGW50N60H3FKSA1 SP000702548

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