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产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22ns/165ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 95nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW40N65H5FKSA1TrenchStop® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 |
产品型号 | IGW40N65H5FKSA1 |
SwitchingEnergy | 390µJ (开), 120µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 15 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,40A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | SP001001742 |
功率-最大值 | 255W |
功率耗散 | 255 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Infineon Technologies |
在25C的连续集电极电流 | 74 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 240 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 74A |
系列 | IGW40N65 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
集电极最大连续电流Ic | 46 A |