ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IGW30N100TFKSA1
Datasheet下载- 型号： IGW30N100TFKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IGW30N100TFKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW30N100TFKSA1价格参考。InfineonIGW30N100TFKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IGW30N100TFKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGW30N100TFKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 33ns/535ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
| 描述 | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 217nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGW30N100T_2_4.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431c69a49d011c6f864d7500a2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IGW30N100TFKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchStop® |
| SwitchingEnergy | 3.8mJ |
| TestCondition | 600V、 30A、 16 欧姆、 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 功率-最大值 | 412W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1000V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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