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数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGP03N120H2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGP03N120H2价格参考。InfineonIGP03N120H2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGP03N120H2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGP03N120H2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 9.2ns/281ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 9.9A |
描述 | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 22nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGP03N120H2- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGP_W03N120H2_Rev2_6[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123b933c0ae00f4 |
产品型号 | IGP03N120H2 |
SwitchingEnergy | 290µJ |
TestCondition | 800V, 3A, 82 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,3A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
其它名称 | IGP03N120H2XKSA1 |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-263-3 |
工厂包装数量 | 500 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 9.6A |
系列 | IGP03N120 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极最大连续电流Ic | 9.6 A |
零件号别名 | IGP03N120H2XKSA1 SP000683038 |