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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGB15N60T由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGB15N60T价格参考。InfineonIGB15N60T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGB15N60T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGB15N60T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 17ns/188ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 45A |
描述 | IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 87nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGB15N60TTrenchStop® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 |
产品型号 | IGB15N60T |
SwitchingEnergy | 570µJ |
TestCondition | 400V, 15A, 15 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.05V @ 15V,15A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
其它名称 | IGB15N60TATMA1 |
功率-最大值 | 130W |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | TO-263-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
系列 | IGB15N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 30 A |
零件号别名 | IGB15N60TATMA1 SP000054921 |