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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 肖特基二极管与整流器 SIC DIODES |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA1 |
产品型号 | IDH04G65C5XKSA1 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-2 |
峰值反向电压 | 650 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 500 |
技术 | SiC |
最大二极管电容 | 130 pF |
最大功率耗散 | 48 W |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 38 A |
最小工作温度 | - 55 C |
正向连续电流 | 4 A |
系列 | IDH04G65 |
零件号别名 | SP000925198 |