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  • 型号: HUFA76429D3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUFA76429D3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76429D3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76429D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76429D3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 110W(Tc) I-PAK。您可以下载HUFA76429D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUFA76429D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 20A IPAKMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUFA76429D3UltraFET™

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产品型号

HUFA76429D3

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

20.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

36 ns

下降时间

56 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1480pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 20A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

110W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

HUFA76429

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUFA76429D3_NL

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