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型号： HUFA76429D3
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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HUFA76429D3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76429D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76429D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76429D3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 110W（Tc） I-PAK。您可以下载HUFA76429D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76429D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 20A IPAKMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUFA76429D3UltraFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	HUFA76429D3
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	20.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	20.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	36 ns
下降时间	56 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	46nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	23 毫欧 @ 20A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
其它名称	HUFA76429D3-ND HUFA76429D3FS
典型关闭延迟时间	60 ns
功率-最大值	110W
包装	管件
单位重量	343.080 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）
系列	HUFA76429
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	HUFA76429D3_NL