【晶体管 - FET，MOSFET - 单_HUFA75344P3_F085】封装/厂家_HUFA75344P3_F085中文资料_价格

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型号： HUFA75344P3_F085
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75344P3_F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75344P3_F085价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75344P3_F085封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 285W（Tc） TO-220AB。您可以下载HUFA75344P3_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75344P3_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的HUFA75344P3_F085是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。它具有多种应用场景，特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。

 1. 电源管理
该MOSFET广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在导通状态下产生的功率损耗非常小，从而提高了整个电源系统的效率。此外，它的快速开关特性有助于减少开关损耗，进一步提升电源转换效率。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，HUFA75344P3_F085可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机在不同负载条件下的稳定运行。由于其出色的热性能和低功耗特性，它可以有效降低电机驱动系统的发热量，延长设备的使用寿命。

 3. 电池管理系统（BMS）
在电池管理系统中，这款MOSFET可以用于电池充放电的控制和保护。它能够快速响应电池电压和电流的变化，防止过充、过放以及短路等异常情况的发生。其低导通电阻也有助于减少电池充放电过程中的能量损失，提高电池的使用效率。

 4. 工业自动化
在工业自动化领域，HUFA75344P3_F085可以用于各种控制电路中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等。它能够在高温、高湿度等恶劣环境下保持稳定的性能，确保工业设备的可靠运行。此外，其紧凑的封装形式也使其适用于空间有限的应用场合。

 5. 消费电子产品
该MOSFET还常见于消费电子产品中，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电器、适配器等。它能够提供高效的电力传输，同时具备良好的散热性能，确保产品在长时间使用过程中不会过热。

总之，ON Semiconductor的HUFA75344P3_F085凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用领域，尤其适合对效率和可靠性要求较高的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HUFA75344P3_F085
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	UltraFET™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	210nC @ 20V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8 毫欧 @ 75A，10V
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	285W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	400
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tc）