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  • 型号: HUF76609D3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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HUF76609D3ST产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76609D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76609D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76609D3ST封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA。您可以下载HUF76609D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76609D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 10A DPAKMOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF76609D3STUltraFET™

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产品型号

HUF76609D3ST

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

49 W

Pd-功率耗散

49 W

Qg-GateCharge

16 nC

Qg-栅极电荷

16 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

41 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

425pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

HUF76609D3STFSCT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

49W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

HUF76609

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF76609D3ST_NL

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