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  • 型号: HUF75339P3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUF75339P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75339P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75339P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75339P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB。您可以下载HUF75339P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75339P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的HUF75339P3是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。其主要应用场景如下:

 1. 电源管理
HUF75339P3常用于各种电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和电池管理系统(BMS)中。它能够高效地控制电流的通断,减少功率损耗,提升系统的能效。该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频率开关应用中表现出色,适用于笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源电路。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中,HUF75339P3可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备快速响应能力,适合应用于小型无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。例如,在智能家居设备、家电产品(如风扇、吸尘器等)以及工业自动化设备中都有广泛应用。

 3. 负载开关
该MOSFET也可用作负载开关,用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够在检测到故障时迅速切断电源,确保系统的安全性和稳定性。HUF75339P3的低导通电阻有助于减少发热,延长设备的使用寿命,适用于USB接口、数据通信模块等需要频繁切换电源的应用场景。

 4. 信号切换
在信号切换应用中,HUF75339P3可以用于高速信号路径的切换,例如在音频设备、视频切换器或无线通信设备中。它的低电容特性使得它能够在高频信号下保持良好的性能,确保信号的完整性和传输速度。

 5. 汽车电子
在汽车电子领域,HUF75339P3可用于车身控制系统、车灯控制、座椅调节等应用中。它能够承受汽车环境中常见的温度变化和电磁干扰,提供可靠的电气性能。此外,该MOSFET还符合AEC-Q101标准,确保其在严苛的车载环境中稳定工作。

总之,HUF75339P3凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,为各类系统提供了高效的功率管理和控制解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220ABMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75339P3UltraFET™

数据手册

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产品型号

HUF75339P3

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

60 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

200W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

12 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

75 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

HUF75339

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75339P3_NL

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