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HUF75339P3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75339P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75339P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75339P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB。您可以下载HUF75339P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75339P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HUF75339P3是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。其主要应用场景如下: 1. 电源管理 HUF75339P3常用于各种电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和电池管理系统(BMS)中。它能够高效地控制电流的通断,减少功率损耗,提升系统的能效。该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频率开关应用中表现出色,适用于笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源电路。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,HUF75339P3可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备快速响应能力,适合应用于小型无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。例如,在智能家居设备、家电产品(如风扇、吸尘器等)以及工业自动化设备中都有广泛应用。 3. 负载开关 该MOSFET也可用作负载开关,用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够在检测到故障时迅速切断电源,确保系统的安全性和稳定性。HUF75339P3的低导通电阻有助于减少发热,延长设备的使用寿命,适用于USB接口、数据通信模块等需要频繁切换电源的应用场景。 4. 信号切换 在信号切换应用中,HUF75339P3可以用于高速信号路径的切换,例如在音频设备、视频切换器或无线通信设备中。它的低电容特性使得它能够在高频信号下保持良好的性能,确保信号的完整性和传输速度。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,HUF75339P3可用于车身控制系统、车灯控制、座椅调节等应用中。它能够承受汽车环境中常见的温度变化和电磁干扰,提供可靠的电气性能。此外,该MOSFET还符合AEC-Q101标准,确保其在严苛的车载环境中稳定工作。 总之,HUF75339P3凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,为各类系统提供了高效的功率管理和控制解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220ABMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75339P3UltraFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | HUF75339P3 |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 12 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 75 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
系列 | HUF75339 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | HUF75339P3_NL |