ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > HUF75229P3
Datasheet下载- 型号： HUF75229P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75229P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75229P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75229P3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 50V 44A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB。您可以下载HUF75229P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75229P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75229P3 是 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个 FET 类别。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度，适用于多种电源管理和信号切换应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： - HUF75229P3 常用于直流-直流转换器（DC-DC 转换器）中，作为开关元件来调节电压。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。 - 在电池管理系统中，它可以用于控制充电和放电路径，确保电池安全运行。 2. 电机驱动： - 该 MOSFET 可用于小型电机的驱动电路中，如步进电机、无刷直流电机等。它能够快速响应电流变化，提供高效的开关控制，适合需要精确控制的应用场景。 3. 负载开关： - 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，HUF75229P3 可用作负载开关，实现对不同负载的供电控制，帮助节省功耗并延长电池寿命。 4. 保护电路： - 它可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，MOSFET 可以迅速切断电路，防止损坏其他元件。 5. 通信设备： - 在通信基站、路由器等设备中，HUF75229P3 可用于电源模块中的功率调节和信号切换，确保稳定可靠的电力供应。 6. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，如车载充电器、LED 照明控制、电动助力转向系统等，HUF75229P3 可以提供高效且可靠的开关性能，满足汽车行业的严格要求。 总之，HUF75229P3 凭借其出色的电气特性，广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场合，尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75229P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 44A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
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