【晶体管 - FET，MOSFET - 单_HTNFET-T】封装/厂家_HTNFET-T中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： HTNFET-T
制造商： Honeywell Solid State Electronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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HTNFET-T产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HTNFET-T由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HTNFET-T价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsHTNFET-T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 55V 50W（Tj） 4-电源接片。您可以下载HTNFET-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HTNFET-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 55V 4-PIN
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HTNFET-T
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HTMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	290pF @ 28V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	4.3nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	400 毫欧 @ 100mA，5V
供应商器件封装	4-电源接片
其它名称	342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT
功率-最大值	50W
包装	散装
安装类型	通孔
封装/外壳	4-SIP
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	-