Datasheet下载- 型号： HSMS-281E-TR2G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HSMS-281E-TR2G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HSMS-281E-TR2G价格参考。Avago TechnologiesHSMS-281E-TR2G封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 20V 1A SOT-323。您可以下载HSMS-281E-TR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HSMS-281E-TR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的HSMS-281E-TR2G是一款射频二极管，主要用于高频信号处理和无线通信领域。该型号属于肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），具有低正向电压降、快速开关速度和低噪声等特性，适用于多种射频和微波应用。 主要应用场景： 1. 射频开关： HSMS-281E-TR2G常用于射频开关电路中，特别是在无线通信设备如手机、基站、卫星通信系统等中。它能够快速切换信号路径，确保信号在不同频率或通道之间高效传输，同时保持低插入损耗和高隔离度。 2. 混频器： 在射频接收机和发射机中，混频器是关键组件之一。HSMS-281E-TR2G可以作为混频器中的非线性元件，将输入的射频信号与本地振荡器信号混合，产生中频信号。其快速响应和低噪声特性有助于提高混频器的性能。 3. 检波器： 该二极管也可用作检波器，用于检测射频信号的幅度或功率。例如，在无线传感器网络、雷达系统和测试测量设备中，HSMS-281E-TR2G可以精确地将射频信号转换为直流电压，从而实现信号强度的测量。 4. 保护电路： 在射频前端模块中，HSMS-281E-TR2G可以用作保护二极管，防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压对敏感电路造成损害。它的低电容和快速恢复时间使其成为理想的保护元件。 5. 频率倍增器： 在需要生成更高频率信号的应用中，HSMS-281E-TR2G可以用于频率倍增电路。通过非线性特性，它可以将输入信号的频率倍增，广泛应用于微波通信和雷达系统中。 6. 谐波发生器： 该二极管还可以用于生成高次谐波，适用于需要特定频率成分的场合，如测试设备和信号源。 总之，HSMS-281E-TR2G凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于各种高频信号处理和无线通信设备中，确保了系统的高效运行和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1367EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HSMS-281E-TR2G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | 15 欧姆 @ 5mA，1MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1.2pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对共阳极 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 20V |
| 电流-最大值 | 1A |
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