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Datasheet下载- 型号： HSMS-281C-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HSMS-281C-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HSMS-281C-BLKG价格参考。Avago TechnologiesHSMS-281C-BLKG封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 20V 1A SOT-323。您可以下载HSMS-281C-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HSMS-281C-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited 的 HSMS-281C-BLKG 是一款二极管，属于射频 (RF) 二极管类别。这款二极管具有低电容、高线性度和快速开关特性，适用于高频和高速应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 射频通信设备 HSMS-281C-BLKG 广泛应用于射频通信设备中，如无线基站、卫星通信系统、蜂窝网络基础设施等。它可以在这些系统中用作开关或检波器，帮助实现信号的高效传输和处理。 2. 雷达系统 在雷达系统中，HSMS-281C-BLKG 可以用于脉冲调制电路，作为开关元件来控制发射机的脉冲输出。其快速开关特性和低插入损耗使其非常适合高频脉冲信号的应用。 3. 无线局域网 (WLAN) 和 Wi-Fi 设备 该二极管也常用于 WLAN 和 Wi-Fi 设备中，特别是在 2.4GHz 和 5GHz 频段的射频前端模块中。它可以用于天线开关、功率检测和信号调理电路，确保无线信号的稳定性和可靠性。 4. 蓝牙和其他短距离无线技术 HSMS-281C-BLKG 还适用于蓝牙、Zigbee 等短距离无线通信技术。它可以在这些系统的射频前端电路中发挥重要作用，例如用于天线切换或信号检测，确保数据传输的高效性和准确性。 5. 射频识别 (RFID) 系统 在 RFID 系统中，该二极管可以用于读写器的射频前端，帮助实现标签与读写器之间的高效通信。其低电容和高线性度特性有助于提高系统的灵敏度和响应速度。 6. 测试与测量设备 HSMS-281C-BLKG 也广泛应用于射频测试与测量设备中，如频谱分析仪、信号发生器等。它可以用作检波器或开关，帮助实现对射频信号的精确测量和分析。 总结 HSMS-281C-BLKG 凭借其优异的射频性能，适用于多种高频和高速应用场景，包括通信设备、雷达系统、无线网络、RFID 系统以及测试与测量设备。其低电容、高线性度和快速开关特性使得它成为这些领域中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323肖特基二极管与整流器 20 VBR 1.2 pF |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/diodes/schottky/hsms-281c/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Avago Technologies HSMS-281C-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1367EN |
| 产品型号 | HSMS-281C-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| 不同 If、F时的电阻 | 15 欧姆 @ 5mA，1MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1.2pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对串联 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Schottky Diodes |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 516-1921 |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA at 15 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电压下降 | 410 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 20V |
| 电流-最大值 | 1A |
| 配置 | Dual Series |
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