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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Toshiba |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN7G01FU-A(T5L,F,T |
产品型号 | HN7G01FU-A(T5L,F,T |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Toshiba |
安装风格 | SMD/SMT |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
直流电流增益hFE最大值 | 1000 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
集电极连续电流 | - 400 mA |