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  • 型号: HN7G01FE-A(TE85L,F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN7G01FE-A(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN7G01FE-A(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN7G01FE-A(TE85L,F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN7G01FE-A(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN7G01FE-A(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Toshiba

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN7G01FE-A(TE85L,F

产品型号

HN7G01FE-A(TE85L,F

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Toshiba

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/箱体

ES-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

最大功率耗散

100 mW

直流电流增益hFE最大值

1000

直流集电极/BaseGainhfeMin

300

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 12 V

集电极—基极电压VCBO

- 15 V

集电极连续电流

- 400 mA

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