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  • 型号: HN4B04J(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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HN4B04J(TE85L,F)产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN + PNP 30V 500MA SMV

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

HN4B04J(TE85L,F)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 100mA,1V

供应商器件封装

SMV

其它名称

HN4B04J(TE85LF)TR
HN4B04JTE85LF

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

晶体管类型

NPN,PNP

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100µA (ICBO)

频率-跃迁

200MHz

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