图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HN4B01JE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN4B01JE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN4B01JE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN4B01JE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN4B01JE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN4B01JE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS ARRAY 50V 150MA ESV PLN两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vceo=50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=HN4B01JE&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN4B01JE(TE85L,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HN4B01JE(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 10MA， 100MA |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | ESV |
| 其它名称 | HN4B01JE(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz (Min) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP（耦合发射器） |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 2 mA at 6 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V @ NPN or 50 V @ PNP |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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